职位&公司对比

职位详情

• 北京
• 3-5年
• 硕士

• 电路设计
• 半导体技术
• 版图设计工程师
• 芯片设计
• MRAM
• Cadence

岗位总述： 本岗位主要负责为非易失磁存储芯片（MRAM）设计高性能、高可靠的读写和逻辑控制电路，外围数字电路模块及通信接口模块。MRAM的制造涉及新型微纳器件及非标准集成工艺，需要电路开发人员与器件工艺研发人员协同合作，以全定制的方式完成电路设计和芯片制造。 工作职责： 1.根据产品说明负责模块的接口定义，RTL代码编写，和文档整理。 2.负责RTL综合，时序检查，UPF定义，Lint/CDC等检查，确保设计代码质量kanzhun。 3.负责和配合集成，供电，时钟，复位，面积和功耗优化工作。 4.负责所设计模块的基本功能验证定义和仿真和详细的验证工作。 5.配合支持芯片的Demo调试和问题解决。 6.参与项目的整体规直聘划，保证负责模块的按时，高质量交付。 任职资格： 1. 通信、电子工程、微电子等相关专业硕士及以上学历，3年以上IC设计经验。 2. 熟练使用Verilog/System Verilog/VHDL语言进行代码开发, 熟练使用EDA设计验证工具: VCS, Verdi, DC等。 3. 熟练使用集BOSS直聘成电路仿真与测试工具，熟悉数模混合设计与仿真流程。 4. 具有良好的直聘英文能力，阅读和日常交流通畅。 5. 工作责任感强，具备良好的沟通能力和团队合作意识。 其他要求： 职位性质：全职 资历要求：3年以上bossIC设计经验，2年以上一线研发经历，曾任职IC设计高级工程师或资深工程师，有管理研发团队经验者优先。 薪酬及待遇：面议 工作地点：北京市海淀区知春路锦秋国际大厦