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功率半导体开发工程师

30-50K·16薪

代招公司：某大型知名汽车研发公司长春 经验不限 本科

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职位描述

  • 半导体技术
  • PCB设计
  • 芯片设计
岗位职责：
1. 主导车规级SiC MOSFET以及Si IGBT芯片产品设计工作，具体包括元胞设计、版图设计，仿真开发、工艺流程开发及工艺参数优化
2. 负责产品开发过程的方案评审、关键节点评审工作，指导团队快速解决重点或难点问题
3.完成上级交办的其他工作任务
任职要求：
1.学历要求：统招本科及以上学历，硕士优先。
2.工作经验：4年以上大功率SiC MOSFET和Si IGBT功率半导体芯片开发和研究经验、1年以上车规大功率SiC MOSFET和Si IGBT功率半导体芯片开发经验；
3.其他：
①熟练掌握SiC MOSFET和Si IGBT功率半导体性能设计与工艺设计的相关软件应用，如Sentaurus、L-edit等，熟悉功率芯片的产品开发及可靠性验证
②熟悉SiC MOSFET和Si IGBT功率半导体晶圆制造流程，测试流程以及相关核心工艺技术及设备；
③具有微电子科学与工程、电子科学与技术等相关专业背景；
④善于沟通，具备较强的执行能力、应变及协调能力。

认证资质

  • 人力资源服务许可证

王先生

海纳睿泽·猎头顾问

竞争力分析

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个人综合排名：在人中排名第
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页面更新时间：2025-02-27

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